TY  - CONF

T1  - Inductively coupled plasma etching of GaN using SiCl4/Cl2/Ar for submicron-sized features fabrication

JO  - physica status solidi (c)

PY  - 2007/01/01

AU  - Dylewicz R

AU  - Hogg RA

AU  - Fry PW

AU  - Parbrook PJ

AU  - Airey R

AU  - Tahraoui A

AU  - Patela S

ED  - 

DO  - DOI: 10.1002/pssc.200674851

PB  - Wiley

VL  - 4

IS  - 7

SP  - 2634

EP  - 2637

Y2  - 2024/09/20

ER  -